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FET，MOSFET - 单个
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TSM10N60CZ C0G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
750 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
45.8nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1738pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
166W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMS3014SFGQ-13
Diodes Incorporated
FET，MOSFET - 单个
MOSFET BVDSS: 25V30V POWERDI333
暂无价格
参考库存:35233
SIHB12N50E-GE3
Vishay Siliconix
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
暂无价格
参考库存:6328
DMP6110SFDF-7
Diodes Incorporated
FET，MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 60V 4.2A UDFN2020-6
暂无价格
参考库存:35251
SIHG22N50D-GE3
Vishay Siliconix
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
暂无价格
参考库存:35259
DMTH6016LFVWQ-7
Diodes Incorporated
FET，MOSFET - 单个
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
暂无价格
参考库存:306286
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