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FET，MOSFET - 单个
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IRFH8337TR2PBF

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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
HEXFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12A（Ta），35A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
12.8 毫欧 @ 16.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
10nC @ 10V
Vgs（最大值）
10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
790pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RTF015N03TL
Rohm Semiconductor
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3
暂无价格
参考库存:31474
IRLZ34NSTRLPBF
Infineon Technologies
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MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
暂无价格
参考库存:69542
RQ3E110AJTB
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RQ3E110AJ IS LOW ON-RESISTANCE A
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2SK536-TB-E
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FET，MOSFET - 单个
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暂无价格
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DMP22D4UFA-7B
Diodes Incorporated
FET，MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 20V 0.33A
暂无价格
参考库存:1355572
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