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FET，MOSFET - 单个
GP1M008A050HG参考图片

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GP1M008A050HG

  • SemiQ
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 500V 8A TO220
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
850 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
21nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
937pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
120W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPW60R041P6FKSA1
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
暂无价格
参考库存:9174
UF3C170400K3S
UnitedSiC
FET，MOSFET - 单个
1700V/400MOHM, SIC, FAST CASCODE
暂无价格
参考库存:10992
IRFI4229PBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 250V 19A TO-220FP
暂无价格
参考库存:21219
C2M0040120D
Cree/Wolfspeed
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247
暂无价格
参考库存:27156
IXTP130N10T
IXYS
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
暂无价格
参考库存:12240
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