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FET,MOSFET - 单个
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IRFL1006

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HEXFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
220 毫欧 @ 1.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
8nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
160pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
暂无价格
参考库存:10168
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
暂无价格
参考库存:7745
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
暂无价格
参考库存:7630
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
暂无价格
参考库存:11517
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247
暂无价格
参考库存:7784
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