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FET,MOSFET - 单个
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IRF3708S

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HEXFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
62A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.8V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
12 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
24nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2417pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
87W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
暂无价格
参考库存:38197
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 40V 88A TO-262
暂无价格
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FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
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FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
暂无价格
参考库存:38229
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
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参考库存:38245
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