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FET，MOSFET - 单个
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IRFL4105PBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HEXFET®
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
45 毫欧 @ 3.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
35nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
660pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI4420DY
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
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暂无价格
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IRFIZ46NPBF
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IRFU3709
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MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK
暂无价格
参考库存:49224
IRF7832Z
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FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
暂无价格
参考库存:49232
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