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FET,MOSFET - 单个

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WPB4001-1E

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
26A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
260 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
87nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2250pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),220W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-3P-3L
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
暂无价格
参考库存:35449
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6
暂无价格
参考库存:35457
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 20V 20A TO-252
暂无价格
参考库存:35465
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
暂无价格
参考库存:35473
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
暂无价格
参考库存:35481
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