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FET,MOSFET - 单个
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FQD12N20TM_F080

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参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
QFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
280 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
23nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
910pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),55W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
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参考库存:4243
FET,MOSFET - 单个
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FET,MOSFET - 单个
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FET,MOSFET - 单个
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