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FET，MOSFET - 单个
STW11NB80参考图片

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STW11NB80

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
PowerMESH™
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
800 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
70nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2900pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TN0110N3-G-P002
Microchip Technology
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
暂无价格
参考库存:39294
APT50M85JVR
Microchip Technology
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227
暂无价格
参考库存:39302
IXTQ150N15P
IXYS
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 150V 150A TO-3P
暂无价格
参考库存:39310
IXFN38N80Q2
IXYS
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227
暂无价格
参考库存:39318
IXFP34N65X2
IXYS
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 650V 34A TO-220
暂无价格
参考库存:13441
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