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FET，MOSFET - 单个
SI7368DP-T1-E3参考图片

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SI7368DP-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
5.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
25nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
±16V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NTMFS4C09NAT1G
ON Semiconductor
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
暂无价格
参考库存:34133
IRFPC50LCPBF
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MOSFET N-CH 600V 11A TO-247AC
暂无价格
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SQM90142E_GE3
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MOSFET N-CH 200V 95A TO263
暂无价格
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DMTH10H010LCT
Diodes Incorporated
FET，MOSFET - 单个
MOSFET 100V 108A TO220AB
暂无价格
参考库存:5347
DMN90H2D2HCTI
Diodes Incorporated
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
暂无价格
参考库存:5419
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