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FET,MOSFET - 单个
SIHF9520S-GE3参考图片

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SIHF9520S-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-CH 100V D2PAK TO-263
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
600 毫欧 @ 4.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
18nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
390pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.7W(Ta),60W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK(TO-263)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 250V 0.197A SOT23-6
暂无价格
参考库存:34373
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
暂无价格
参考库存:34381
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
暂无价格
参考库存:34389
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 20V SC-89-6
暂无价格
参考库存:34397
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
暂无价格
参考库存:34405
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