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FET,MOSFET - 单个
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BSZ042N06NSATMA1

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
OptiMOS™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
17A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
4.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 36µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
27nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2000pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),69W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳
8-PowerTDFN
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推荐型号
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FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
暂无价格
参考库存:41868
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 600V 47A TO-3P
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FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
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参考库存:6899
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 650V 14.9A TO220F
暂无价格
参考库存:11261
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH SOT23-3
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参考库存:16878
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