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FET,MOSFET - 单个
NVMFS6H801NT1G参考图片

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NVMFS6H801NT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • TRENCH 8 80V NFET
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
汽车级,AEC-Q101
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
23A(Ta),157A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
2.8 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
64nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4120pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),166W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 250V 0.23A SOT23-6
暂无价格
参考库存:55039
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
暂无价格
参考库存:55047
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH TO252
暂无价格
参考库存:55063
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
暂无价格
参考库存:55071
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
暂无价格
参考库存:55079
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