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FET,MOSFET - 单个
BSM180C12P2E202参考图片

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BSM180C12P2E202

  • Rohm Semiconductor
  • 新批次
  • BSM180C12P2E202 IS A SIC (SILICO
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
204A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 35.2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
4V @ 35.2mA
Vgs(最大值)
+22V,-6V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
20000pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1360W(Tc)
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
底座安装
供应商器件封装
模块
封装/外壳
模块
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P
暂无价格
参考库存:37461
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
暂无价格
参考库存:37469
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 9.8A DPAK
暂无价格
参考库存:37477
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220
暂无价格
参考库存:37485
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 100V 90A TO-220F
暂无价格
参考库存:37493
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