您好！欢迎来到芯海商城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
FET，MOSFET - 单个
SIHG47N60E-GE3参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

SIHG47N60E-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：2,090(价格仅供参考)
数量单价合计
暂无价格,请联系询价
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
64 毫欧 @ 24A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
220nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
9620pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
357W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3
商品其它信息
询价需知
1:由于型号种类繁多，价格时有更新，请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。
2:买家咨询的时候请务必说清楚(完整型号、封装、数量)，以便我们及时报价
3:生产型企业可申请月结和货到付款。
4:千元以上免运费(特殊商品除外)。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRF7492TRPBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC
暂无价格
参考库存:38944
IRF5806TRPBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
暂无价格
参考库存:38952
IPI50R140CPXKSA1
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
HIGH POWER_LEGACY
暂无价格
参考库存:38960
IRF6892STR1PBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 25V 28A S3
暂无价格
参考库存:38968
IRFH5204TRPBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 40V 22A PQFN
暂无价格
参考库存:38976
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市浩睿泽电子科技有限公司

电话：19854773352

手机：19854773352

Email: 250652363@qq.com

Q Q:

地址：深圳市福田区华强北华康大厦二栋2楼210


微信联系我们

Copyright © 2015-2022 深圳市浩睿泽电子科技有限公司 粤ICP备2022127208号

24小时在线客服
热线电话

19854773352

微信联系我们 微信扫码联系我们