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FET，MOSFET - 单个
IXTH130N20T参考图片

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IXTH130N20T

  • IXYS
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 200V 130A TO-247
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
TrenchHV™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
130A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
16 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
150nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
8800pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
830W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247（IXTH）
封装/外壳
TO-247-3
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC889N03LSGATMA1
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
暂无价格
参考库存:40520
IRFR3505TRPBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
暂无价格
参考库存:40536
IPD65R600E6BTMA1
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
暂无价格
参考库存:40544
IRF7459TRPBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
暂无价格
参考库存:40552
IPU60R3K4CEAKMA1
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
CONSUMER
暂无价格
参考库存:40560
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