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FET,MOSFET - 单个
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IRF630NPBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HEXFET®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
300 毫欧 @ 5.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
35nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
575pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
82W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
暂无价格
参考库存:8325
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F
暂无价格
参考库存:6647
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F
暂无价格
参考库存:48718
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247
暂无价格
参考库存:4226
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
暂无价格
参考库存:4713
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