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FET,MOSFET - 单个
FQD12N20TM参考图片

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FQD12N20TM

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带(CT)
系列
QFET®
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
280 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
23nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
910pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),55W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2
暂无价格
参考库存:16342
FET,MOSFET - 单个
P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
暂无价格
参考库存:16344
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
暂无价格
参考库存:13848
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
暂无价格
参考库存:5620
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP
暂无价格
参考库存:26354
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