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FET,MOSFET - 单个
STU1HN60K3参考图片

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STU1HN60K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
SuperMESH3™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
8 欧姆 @ 600mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
9.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
140pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
27W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC
暂无价格
参考库存:44382
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH
暂无价格
参考库存:44390
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
暂无价格
参考库存:44398
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
暂无价格
参考库存:44406
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
暂无价格
参考库存:44414
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