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FET,MOSFET - 单个
BST82,215参考图片

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BST82,215

  • Nexperia USA Inc.
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchMOS™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
190mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
10 欧姆 @ 150mA,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
2V @ 1mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
40pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
830mW(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
暂无价格
参考库存:4996
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363
暂无价格
参考库存:17368
FET,MOSFET - 单个
MOSFET N CH 80V 34A SOP
暂无价格
参考库存:27372
FET,MOSFET - 单个
MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23
暂无价格
参考库存:152374
FET,MOSFET - 单个
IC MOSFET N-CH 80V TO-220
暂无价格
参考库存:3126
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