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FET，MOSFET - 单个
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CSD16401Q5

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
38A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
1.6 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
29nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
+16V，-12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4100pF @ 12.5V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC889N03LSGATMA1
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
暂无价格
参考库存:40520
IRFR3505TRPBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
暂无价格
参考库存:40536
IPD65R600E6BTMA1
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
暂无价格
参考库存:40544
IRF7459TRPBF
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
暂无价格
参考库存:40552
IPU60R3K4CEAKMA1
Infineon Technologies
FET，MOSFET - 单个
CONSUMER
暂无价格
参考库存:40560
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